500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
N-Channel 500 V 11A Tc 195W Tc Through Hole TO-220-3
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N沟道 500V 11A
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MOSFET N-CH 500V 11A TO220-3
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MOSFET N-CH/400V /11A/CFET
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Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin3+Tab TO-220AB Bulk
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500V N-Channel MOSFET
漏源极电阻 480 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 195 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 2055pF @25VVds
额定功率Max 195 W
下降时间 75 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 195W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQP11N50CF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQP10N50CF 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQP11N50CF和FQP10N50CF的区别 |
SF45 Harris | 功能相似 | FQP11N50CF和SF45的区别 |