FQB10N60CTM参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQB10N60CTM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 9.50 A

漏源极电阻 730 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.13W Ta, 156W Tc

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 9.50 A

输入电容Ciss 2040pF @25VVds

耗散功率Max 3.13W Ta, 156W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQB10N60CTM

型号： FQB10N60CTM

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

替代型号FQB10N60CTM