FQB9N25CTM概述
N沟道 250V 8.8A
N-Channel 250 V 8.8A Tc 3.13W Ta, 74W Tc Surface Mount D2PAK TO-263
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N沟道 250V 8.8A
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MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK
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Trans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
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MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK
FQB9N25CTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 250 V
额定电流 9.00 A
漏源极电阻 350 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.13W Ta, 74W Tc
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 8.80 A
输入电容Ciss 710pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
耗散功率Max 3.13W Ta, 74W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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