FDP2670概述
200V N沟道PowerTrench MOSFET的 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
N-Channel 200 V 19A Ta 93W Tc Through Hole TO-220-3
得捷:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
立创商城:
N沟道 200V 19A
贸泽:
MOSFET 200V NCh PowerTrench
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin3+Tab TO-220AB T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB
FDP2670中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 19.0 A
通道数 1
漏源极电阻 130 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 93 W
输入电容 1.32 nF
栅电荷 27.0 nC
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 19.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1320pF @100VVds
额定功率Max 93 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 93W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDP2670
型号： FDP2670
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：200V N沟道PowerTrench MOSFET的 200V N-Channel PowerTrench MOSFET