FDI040N06参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDI040N06概述

N沟道MOSFET的PowerTrench 60V ， 168A ， 4.0mW时 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 168A, 4.0mW

N-Channel 60 V 120A Tc 231W Tc Through Hole I2PAK TO-262

立创商城:
N沟道 60V 120A

得捷:
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

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Trans MOSFET N-CH 60V 168A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

FDI040N06中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 231W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 168A

输入电容Ciss 8235pF @25VVds

额定功率Max 231 W

耗散功率Max 231W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDI040N06

型号： FDI040N06

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N沟道MOSFET的PowerTrench 60V ， 168A ， 4.0mW时 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 168A, 4.0mW

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