FDZ201N中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 9.00 A
漏源极电阻 18.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2W Ta
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
输入电容Ciss 1127pF @10VVds
额定功率Max 2 W
耗散功率Max 2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 WFBGA-12
外形尺寸
封装 WFBGA-12
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDZ201N
型号： FDZ201N
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET BGA N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET