FQD12N20TM_F080参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

FQD12N20TM_F080图片1

FQD12N20TM_F080图片2

FQD12N20TM_F080图片3

FQD12N20TM_F080图片4

FQD12N20TM_F080图片5

FQD12N20TM_F080图片6

FQD12N20TM_F080中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta, 55W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 9A

输入电容Ciss 910pF @25VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 55W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQD12N20TM_F080

型号： FQD12N20TM_F080

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3Pin2+Tab DPAK T/R

替代型号FQD12N20TM_F080

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

FQD12N20TM_F080

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FQD12N20TM

飞兆/仙童

类似代替

FQD12N20TM_F080和FQD12N20TM的区别