FQA7N90M

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FQA7N90M中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 900 V

额定电流 7.00 A

漏源极电阻 1.80 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 210W Tc

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

输入电容Ciss 1880pF @25VVds

额定功率Max 210 W

耗散功率Max 210W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQA7N90M
型号: FQA7N90M
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
替代型号FQA7N90M
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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