FQD9N25TF

FQD9N25TF图片1
FQD9N25TF图片2
FQD9N25TF图片3
FQD9N25TF图片4
FQD9N25TF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 7.40 A

漏源极电阻 420 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta, 55W Tc

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 7.40 A

输入电容Ciss 700pF @25VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 55W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQD9N25TF
型号: FQD9N25TF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 250V 7.4A 3Pin2+Tab DPAK T/R
替代型号FQD9N25TF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQD9N25TF

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FQD9N25TM

飞兆/仙童

类似代替

FQD9N25TF和FQD9N25TM的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台