FQP19N10

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FQP19N10中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 19.0 A

漏源极电阻 100 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 75 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 19.0 A

上升时间 150 ns

输入电容Ciss 780pF @25VVds

下降时间 65 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQP19N10
型号: FQP19N10
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET
替代型号FQP19N10
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQP19N10

Fairchild 飞兆/仙童

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