FDW2511NZ中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 7.10 A
针脚数 8
漏源极电阻 20 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
连续漏极电流Ids 7.10 A
输入电容Ciss 1000pF @10VVds
额定功率Max 1.6 W
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
外形尺寸
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDW2511NZ
型号： FDW2511NZ
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDW2511NZ 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.1 A, 20 V, 20 mohm, 4.5 V, 800 mV
替代型号FDW2511NZ
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDW2511NZ Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDW2511NZ_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDW2511NZ和FDW2511NZ_NL的区别 |