FDC6432SH 复合场效应管 30V/-12V 2.4A/-2.5A SOT-163/SOT23-6/SSOT-6 marking/标记 6432 DC/DC转换器 电源管理
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 30V/-12V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 16V/8V 最大漏极电流IdDrain Current| 2.4A/-2.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 105mΩ@ VGS = 4.5V, ID =2.2A/220mΩ@ VGS =-1.8V, ID =-1.6A 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 1~3V/-0.4~-1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.3W Description & Applications| 12V P-Channel Power Trench MOSFET, 30V Power Trench Sync FET General Description This complementary P-Channel MOSFET with Sync FET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for providing an extremely low RDSON in a small package. Applications DC/DC converter Power management Features · Low gate charge · High performance trench technology for extremely low RDSON. · Super SOT –6 package 描述与应用| 12V P沟道功率沟槽MOSFET,30V功率沟道同步FET 概述 这种互补的P沟道MOSFET同步FET已专门设计,以提高整体效率的DC / DC转换器采用同步或传统开关PWM控制器。它已被优化在一个小型封装提供极低的RDS(ON)。 应用 DC/ DC转换器 电源管理 特点 ·低栅极电荷 ·高性能沟道技术极低的RDS(ON)。 ·超级SOT-6包装
额定电流 2.40 A
通道数 2
漏源极电阻 90 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.3 W
输入电容 514 pF
栅电荷 5.70 nC
漏源极电压Vds 30V, 12V
漏源击穿电压 12 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
上升时间 12.0 ns
输入电容Ciss 270pF @15VVds
额定功率Max 700 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 700 mW
安装方式 Surface Mount
封装 TSOT-23-6
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99