FDU2572概述
N沟道PowerTrench MOSFET的150V ， 29A ， 54mз N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54mз
N-Channel 150V 4A Ta, 29A Tc 135W Tc Through Hole I-PAK
得捷:
MOSFET N-CH 150V 4A/29A IPAK
立创商城:
N沟道 150V 29A 4A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 4A Automotive 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
Win Source:
N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54mOhm
FDU2572中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 150 V
额定电流 29.0 A
漏源极电阻 54.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 135W Tc
输入电容 1.77 nF
栅电荷 26.0 nC
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 29.0 A
上升时间 14.0 ns
输入电容Ciss 1770pF @25VVds
额定功率Max 135 W
耗散功率Max 135W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDU2572
型号： FDU2572
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：N沟道PowerTrench MOSFET的150V ， 29A ， 54mз N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54mз