FDD6606

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FDD6606概述

30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

N-Channel 30V 75A Ta 71W Tc Surface Mount TO-252AA


得捷:
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK


立创商城:
N沟道 30V 75A


贸泽:
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin2+Tab TO-252AA T/R


Win Source:
30V N-Channel PowerTrench MOSFET


FDD6606中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 75.0 A

极性 N-CH

耗散功率 71 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 75A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 2400pF @15VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 18 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 71W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDD6606
型号: FDD6606
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
替代型号FDD6606
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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