FQI34P10TU

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FQI34P10TU中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 49 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.75 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 33.5A

上升时间 250 ns

输入电容Ciss 2910pF @25VVds

额定功率Max 3.75 W

下降时间 210 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3.75W Ta, 155W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 4.83 mm

高度 7.88 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQI34P10TU
型号: FQI34P10TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3Pin3+Tab I2PAK Rail
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