FQB9N50CFTM

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FQB9N50CFTM概述

500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

N-Channel 500 V 9A Tc 173W Tc Surface Mount D²PAK TO-263


得捷:
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK


立创商城:
N沟道 500V 9A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK


FQB9N50CFTM中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 700 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 173W Tc

输入电容 1.03 nF

栅电荷 35.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

输入电容Ciss 1030pF @25VVds

额定功率Max 173 W

耗散功率Max 173W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQB9N50CFTM
型号: FQB9N50CFTM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
替代型号FQB9N50CFTM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQB9N50CFTM

Fairchild 飞兆/仙童

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