FDD26AN06A0

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FDD26AN06A0概述

N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET

N-Channel 60 V 7A Ta, 36A Tc 75W Tc Surface Mount TO-252AA


得捷:
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA


立创商城:
N沟道 60V 36A 7A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 3-Pin2+Tab TO-252AA T/R


FDD26AN06A0中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 36.0 A

漏源极电阻 26.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 75W Tc

输入电容 800 pF

栅电荷 13.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

连续漏极电流Ids 36.0 A

上升时间 72.0 ns

输入电容Ciss 800pF @25VVds

额定功率Max 75 W

耗散功率Max 75W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDD26AN06A0
型号: FDD26AN06A0
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET
替代型号FDD26AN06A0
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDD26AN06A0

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

STP55NF06

意法半导体

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FDD26AN06A0和STP55NF06的区别

STD6N95K5

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