FQA7N80参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQA7N80概述

800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET

N-Channel 800 V 7.2A Tc 198W Tc Through Hole TO-3P

立创商城:
N沟道 800V 7.2A

得捷:
MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 7.2A 3-Pin3+Tab TO-3P

FQA7N80中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 7.20 A

漏源极电阻 1.50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 198W Tc

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 7.20 A

输入电容Ciss 1850pF @25VVds

额定功率Max 198 W

耗散功率Max 198W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQA7N80

型号： FQA7N80

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET

替代型号FQA7N80