N沟道PowerTrench MOSFET的25V ， 35A ， 14mohm N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 14mohm
N-Channel 25 V 35A Tc 39W Tc Through Hole I-PAK
得捷:
MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
立创商城:
N沟道 25V 35A
贸泽:
MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Win Source:
N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 14mohm
额定电压DC 25.0 V
额定电流 35.0 A
漏源极电阻 11.6 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 39 W
输入电容 845 pF
栅电荷 18.0 nC
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 845pF @13VVds
额定功率Max 39 W
下降时间 32 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 39W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDU8778 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD8750 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDU8778和FDD8750的区别 |