FDU8782

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FDU8782中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 35.0 A

通道数 1

漏源极电阻 8.5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

输入电容 1.22 nF

栅电荷 25.0 nC

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 1220pF @13VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 14 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDU8782
型号: FDU8782
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET

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