FDD6N50TF

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FDD6N50TF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 24.0 A

通道数 1

漏源极电阻 900 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 89 W

输入电容 940 pF

栅电荷 16.6 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

上升时间 55 ns

输入电容Ciss 940pF @25VVds

额定功率Max 89 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 89W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDD6N50TF
型号: FDD6N50TF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
替代型号FDD6N50TF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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