N沟道PowerTrench MOSFET的75V ， 80A ， 4.7mз N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
Features
• rDSON = 4.0mΩ Typ., VGS = 10V, ID = 80A
• Qgtot = 92nC Typ., VGS = 10V
• Low Miller Charge
• Low QRR Body Diode
• UIS Capability Single Pulse and Repetitive Pulse
• Qualified to AEC Q101
Applications
• 42V Automotive Load Control
• Starter / Alternator Systems
• Electronic Power Steering Systems
• Electronic Valve Train Systems
• DC-DC converters and Off-line UPS
• Distributed Power Architectures and VRMs
• Primary Switch for 24V and 48V systems
额定电压DC 75.0 V
额定电流 80.0 A
通道数 1
漏源极电阻 4 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 310 W
输入电容 6.60 nF
栅电荷 92.0 nC
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 88 ns
输入电容Ciss 6600pF @25VVds
额定功率Max 310 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 310W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
高度 7.88 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDI047AN08A0 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB049NE7N3GATMA1 英飞凌 | 功能相似 | FDI047AN08A0和IPB049NE7N3GATMA1的区别 |
IPB049NE7N3G 英飞凌 | 功能相似 | FDI047AN08A0和IPB049NE7N3G的区别 |