FDB6021P

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FDB6021P概述

20V P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET 20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

P-Channel 20V 28A Ta 37W Tc Surface Mount TO-263AB


得捷:
MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB


立创商城:
P沟道 20V 28A


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MOSFET P-Channel PowerTrench


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Trans MOSFET P-CH 20V 28A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


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Trans MOSFET P-CH 20V 28A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB


FDB6021P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -28.0 A

漏源极电阻 30.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 37 W

输入电容 1.89 nF

栅电荷 20.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids -28.0 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 1890pF @10VVds

额定功率Max 37 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 37W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDB6021P
型号: FDB6021P
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:20V P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET 20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
替代型号FDB6021P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDB6021P

Fairchild 飞兆/仙童

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飞兆/仙童

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