20V P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET 20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
P-Channel 20V 28A Ta 37W Tc Surface Mount TO-263AB
得捷:
MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB
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P沟道 20V 28A
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MOSFET P-Channel PowerTrench
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Trans MOSFET P-CH 20V 28A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
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Trans MOSFET P-CH 20V 28A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -28.0 A
漏源极电阻 30.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 37 W
输入电容 1.89 nF
栅电荷 20.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids -28.0 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1890pF @10VVds
额定功率Max 37 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 37W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDB6021P Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDB4020P 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDB6021P和FDB4020P的区别 |