FDS6614A参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDS6614A概述

N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

N-Channel 30V 9.3A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC

立创商城:
N沟道 30V 9.3A

贸泽:
MOSFET SO-8 N-CH 30V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC N T/R

Win Source:
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

FDS6614A中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 9.30 A

漏源极电阻 18.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

输入电容 1.16 nF

栅电荷 12.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 9.30 A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1160pF @15VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS6614A

型号： FDS6614A

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

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替代型号FDS6614A

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