FQI11P06TU概述
P沟道 60V 11.4A
P-Channel 60V 11.4A Tc 3.13W Ta, 53W Tc Through Hole I2PAK TO-262
立创商城:
P沟道 60V 11.4A
得捷:
MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK
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MOSFET 60V P-Channel QFET
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Trans MOSFET P-CH 60V 11.4A 3-Pin3+Tab I2PAK Rail
FQI11P06TU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -11.4 A
漏源极电阻 175 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 11.4 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 550pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 53W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
高度 7.88 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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