FDS6064N7概述
20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET
N-Channel 20 V 23A Ta 3W Ta Surface Mount 8-SO
立创商城:
N沟道 20V 23A
得捷:
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
贸泽:
MOSFET SO-8 N-CH 20V 23A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 23A 8-Pin FLMP SOIC T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC
FDS6064N7中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 23.0 A
通道数 1
漏源极电阻 2.2 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 23.0 A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 7191pF @10VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 77 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDS6064N7
型号： FDS6064N7
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET