P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.105Ω @-1.5A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 750mW/0.75W Description & Applications| • Low gate charge 3.5nC typical. • High performance trench technology for extremely low RDSON • Compact industry standard SC70-6 surface mount package. 描述与应用| •低栅极电荷（3.5nC典型值） •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •紧凑型工业标准SC70-6表面贴装封装
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -1.50 A
通道数 1
漏源极电阻 140 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 750 mW
输入电容 467 pF
栅电荷 4.40 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 1.50 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 467pF @10VVds
额定功率Max 480 mW
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 750mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.1 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDG326P Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDG312P 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDG326P和FDG312P的区别 |
FDG316P 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDG326P和FDG316P的区别 |
FDG328P 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDG326P和FDG328P的区别 |