N沟道 30V 11.5A
N-Channel 30 V 11.5A Ta 900mW Ta, 2.1W Tc Surface Mount 8-MLP 3.3x3.3
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N沟道 30V 11.5A
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MOSFET N-CH 30V 11.5A 8MLP
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MOSFET 30V Sngl NCh Lgc Lvl PowerTrench MOSFET
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Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin MLP EP T/R
通道数 1
漏源极电阻 0.0087 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.1 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 11.5A
输入电容Ciss 2141pF @15VVds
额定功率Max 900 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900mW Ta, 2.1W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-33-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.8 mm
封装 Power-33-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15