FQP16N15

FQP16N15图片1
FQP16N15图片2
FQP16N15图片3
FQP16N15图片4
FQP16N15图片5
FQP16N15图片6
FQP16N15中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 16.4 A

漏源极电阻 160 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 108 W

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 16.4 A

上升时间 115 ns

输入电容Ciss 910pF @25VVds

额定功率Max 108 W

下降时间 80 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 108W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQP16N15
型号: FQP16N15
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台