FQP6N50C概述
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
N-Channel 500 V 5.5A Tc 98W Tc Through Hole TO-220-3
得捷:
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3
立创商城:
N沟道 500V 5.5A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 5.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
FQP6N50C中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 1.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 98W Tc
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.50 A
输入电容Ciss 700pF @25VVds
额定功率Max 98 W
耗散功率Max 98W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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