FDI8441参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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FDI8441中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 26A

输入电容Ciss 15000pF @25VVds

额定功率Max 300 W

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDI8441

型号： FDI8441

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET

替代型号FDI8441

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

FDI8441

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

IPP80N04S4-04

英飞凌

功能相似

FDI8441和IPP80N04S4-04的区别

IPI80N04S3-H4

英飞凌

功能相似

FDI8441和IPI80N04S3-H4的区别