FQP4P25

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FQP4P25中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -250 V

额定电流 -4.00 A

漏源极电阻 2.10 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 75W Tc

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 -250 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids -4.00 A

输入电容Ciss 420pF @25VVds

耗散功率Max 75W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: FQP4P25
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:250V P沟道MOSFET 250V P-Channel MOSFET

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