单片共漏极N沟道2.5V指定的PowerTrench Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 9.6A 2.1W Surface Mount 18-BGA 2.5x4
得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET
立创商城:
2个N沟道 20V 9.6A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 9.6A 18-Pin BGA T/R
额定电压DC 20.0 V
额定电流 9.60 A
漏源极电阻 14.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.10 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 9.60 A
输入电容Ciss 1299pF @10VVds
额定功率Max 2.1 W
安装方式 Surface Mount
封装 WFBGA-18
封装 WFBGA-18
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDZ2553N Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDZ2551N 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDZ2553N和FDZ2551N的区别 |