FDR8508P

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FDR8508P概述

双P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench⑩ Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 30V 3A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8


立创商城:
2个P沟道 30V 3A


得捷:
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 8-Pin SuperSOT T/R


Win Source:
Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET


FDR8508P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -3.00 A

漏源极电阻 40.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 800 mW

输入电容 750 pF

栅电荷 8.00 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 -30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 14.0 ns

输入电容Ciss 750pF @15VVds

额定功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SSOT-8

外形尺寸

封装 SSOT-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDR8508P
型号: FDR8508P
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench⑩ Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET
替代型号FDR8508P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDR8508P

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

SI4947ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

功能相似

FDR8508P和SI4947ADY-T1-E3的区别

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