FQAF17P10概述
100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET
P-Channel 100 V 12.4A Tc 56W Tc Through Hole TO-3PF
立创商城:
P沟道 100V 12.4A
得捷:
MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF
贸泽:
MOSFET 100V P-Channel QFET
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Trans MOSFET P-CH 100V 12.4A 3-Pin3+Tab TO-3PF Rail
Win Source:
100V P-Channel MOSFET
FQAF17P10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -12.4 A
漏源极电阻 190 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 56 W
漏源极电压Vds 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 12.4 A
上升时间 200 ns
输入电容Ciss 1100pF @25VVds
额定功率Max 56 W
下降时间 100 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 56W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FQAF17P10