N沟道 900V 1.7A
N-Channel 900V 1.7A Tc 2.5W Ta, 50W Tc Through Hole I-PAK
得捷:
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
立创商城:
N沟道 900V 1.7A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin3+Tab IPAK Rail
额定电压DC 900 V
额定电流 1.70 A
漏源极电阻 7.20 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 50W Tc
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.70 A
输入电容Ciss 500pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQU2N90TU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQU2N90TU_WS 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQU2N90TU和FQU2N90TU_WS的区别 |
FQU2N90TU_AM002 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQU2N90TU和FQU2N90TU_AM002的区别 |
STD2NK90Z-1 意法半导体 | 功能相似 | FQU2N90TU和STD2NK90Z-1的区别 |