FDPF52N20T

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FDPF52N20T中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 38.5W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 52A

输入电容Ciss 2900pF @25VVds

额定功率Max 38.5 W

耗散功率Max 38.5W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDPF52N20T
型号: FDPF52N20T
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道MOSFET 200V , 52A , 0.049ヘ N-Channel MOSFET 200V, 52A, 0.049ヘ

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