FQPF5N50CFTU概述
低栅极电荷（典型值18nC ） Low gate charge typical 18nC
N-Channel 500V 5A Tc 38W Tc Through Hole TO-220F
得捷:
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
立创商城:
N沟道 500V 5A
贸泽:
MOSFET N-CH/500V/5A/QFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
FQPF5N50CFTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 5.00 A
漏源极电阻 1.55 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 38 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 46 ns
输入电容Ciss 625pF @25VVds
额定功率Max 38 W
下降时间 48 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 38W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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