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FDA79N15中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 30.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 417W Tc

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

连续漏极电流Ids 79.0 A

输入电容Ciss 3410pF @25VVds

耗散功率Max 417W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDA79N15

型号： FDA79N15

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET

替代型号FDA79N15

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

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Fairchild 飞兆/仙童

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