800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
N-Channel 800V 4.8A Tc 140W Tc Through Hole TO-220-3
得捷:
MOSFET N-CH 800V 4.8A TO220-3
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N沟道 800V 4.8A
贸泽:
MOSFET 800V N-Channel QFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 4.8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Win Source:
800V N-Channel MOSFET
额定电压DC 800 V
额定电流 4.50 A
通道数 1
漏源极电阻 2.6 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 140 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.80 A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 1250pF @25VVds
额定功率Max 140 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQP5N80 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STP55NF06 意法半导体 | 功能相似 | FQP5N80和STP55NF06的区别 |
STP80NF10 意法半导体 | 功能相似 | FQP5N80和STP80NF10的区别 |
SPA04N80C3 英飞凌 | 功能相似 | FQP5N80和SPA04N80C3的区别 |