FDFMA2P859T

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FDFMA2P859T中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 1.4W Ta

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -3.00 A

输入电容Ciss 435pF @10VVds

额定功率Max 700 mW

耗散功率Max 1.4W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WDFN-6

外形尺寸

封装 WDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDFMA2P859T
型号: FDFMA2P859T
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:集成的P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管-20 V, -3.0 A, 120米? Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.0 A, 120 m

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