60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET
N-Channel 60V 22.7A Tc 2.5W Ta, 44W Tc Surface Mount D-Pak
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MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK
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Trans MOSFET N-CH 60V 22.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
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MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK
额定电压DC 60.0 V
额定电流 22.7 A
漏源极电阻 45.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 22.7 A
上升时间 85 ns
输入电容Ciss 945pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 44W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQD30N06TF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQD30N06TM 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQD30N06TF和FQD30N06TM的区别 |