FDB6690S

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FDB6690S中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 21.0 A

通道数 1

漏源极电阻 1.55 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 48 W

输入电容 1.24 nF

栅电荷 11.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 42.0 A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 1238pF @15VVds

额定功率Max 48 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 48W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: FDB6690S
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

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