N沟道 200V 5.3A
N-Channel 200 V 5.3A Tc 2.5W Ta, 45W Tc Through Hole I-PAK
得捷:
MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK
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N沟道 200V 5.3A
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MOSFET 200V N-Channel QFET
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Trans MOSFET N-CH 200V 5.3A 3-Pin3+Tab IPAK Rail
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MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK
额定电压DC 200 V
额定电流 5.30 A
漏源极电阻 690 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.30 A
上升时间 65 ns
输入电容Ciss 400pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 45W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
长度 6.8 mm
宽度 2.5 mm
高度 6.3 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQU7N20TU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQU4N20TU 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQU7N20TU和FQU4N20TU的区别 |
IRFU210PBF Vishay Siliconix | 功能相似 | FQU7N20TU和IRFU210PBF的区别 |
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