200V P沟道MOSFET 200V P-Channel MOSFET
P-Channel 200 V 4.8A Tc 75W Tc Through Hole TO-220-3
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Win Source:
200V P-Channel MOSFET
额定电压DC -200 V
额定电流 -4.80 A
通道数 1
漏源极电阻 1.4 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 75 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.80 A
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 430pF @25VVds
额定功率Max 75 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 75W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQP5P20 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF9620PBF 威世 | 功能相似 | FQP5P20和IRF9620PBF的区别 |