60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET
N-Channel 60 V 21A Tc 39W Tc Through Hole TO-220F-3
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MOSFET N-CH 60V 21A TO220F
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N沟道 60V 21A
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MOSFET TO-220F N-CH 60V 21A
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Trans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220F Rail
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Trans MOSFET N-CH 60V 21A 3-Pin 3+Tab TO-220F Rail
额定电压DC 60.0 V
额定电流 21.0 A
漏源极电阻 40.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 39 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 85 ns
输入电容Ciss 945pF @25VVds
额定功率Max 39 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 39W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQPF30N06 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STP36NF06FP 意法半导体 | 功能相似 | FQPF30N06和STP36NF06FP的区别 |