FQAF19N60概述
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
N-Channel 600 V 11.2A Tc 120W Tc Through Hole TO-3PF
立创商城:
N沟道 600V 11.2A
得捷:
MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF
贸泽:
MOSFET 600V N-Channel QFET
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Trans MOSFET N-CH 600V 11.2A 3-Pin3+Tab TO-3PF Rail
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11.2A TO-3PF
FQAF19N60中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 11.2 A
漏源极电阻 380 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 120 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 11.2 A
上升时间 210 ns
输入电容Ciss 3600pF @25VVds
额定功率Max 120 W
下降时间 135 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 120W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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