N沟道 600V 1A
N-Channel 600 V 1A Tc 2.5W Ta, 30W Tc Surface Mount TO-252AA
立创商城:
N沟道 600V 1A
得捷:
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
额定电压DC 600 V
额定电流 1.00 A
漏源极电阻 11.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 30W Tc
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.00 A
输入电容Ciss 150pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQD1N60TM Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQD1N60TF 飞兆/仙童 | 完全替代 | FQD1N60TM和FQD1N60TF的区别 |
SSR1N60BTM 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQD1N60TM和SSR1N60BTM的区别 |
SSR1N60BTF 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQD1N60TM和SSR1N60BTF的区别 |