N沟道 60V 16.8A
N-Channel 60 V 16.8A Tc 2.5W Ta, 38W Tc Surface Mount TO-252, D-Pak
得捷:
MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
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N沟道 60V 16.8A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
额定电压DC 60.0 V
额定电流 16.8 A
漏源极电阻 63.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 38W Tc
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 16.8 A
输入电容Ciss 590pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 38W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQD20N06TF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQD20N06TM 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQD20N06TF和FQD20N06TM的区别 |
FQD20N06 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQD20N06TF和FQD20N06的区别 |