FQP2NA90概述
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
N-Channel 900V 2.8A Tc 107W Tc Through Hole TO-220-3
得捷:
MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3
立创商城:
N沟道 900V 2.8A
贸泽:
MOSFET 900V N-Channel QFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 2.8A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail
FQP2NA90中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 900 V
额定电流 2.80 A
漏源极电阻 5.80 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 107 W
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 2.80 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 680pF @25VVds
额定功率Max 107 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 107W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FQP2NA90